淺談等離子清洗機的蝕刻工藝

某種程度來講，等離子清洗實質(zhì)上是等離子體刻蝕的一種較輕微的情況。進行干式蝕刻工藝的設(shè)備包括反應(yīng)室、電源、真空部分。

  工件送入被真空泵抽空的反應(yīng)室。氣體被導(dǎo)入并與等離子體進行交換。等離子體在工件表面發(fā)生反應(yīng)，反應(yīng)的揮發(fā)性副產(chǎn)物被真空泵抽走。等離子體刻蝕工藝實際上便是一種反應(yīng)性等離子工藝。

  近期的發(fā)展是在反應(yīng)室的內(nèi)部安裝成擱架形式，這種設(shè)計的是富有彈性的，用戶可以移去架子來配置合適的等到離子體的蝕刻方法：反應(yīng)性等離子體（RIE），順流等離子體（downstream），直接等離子體（direction plasma）。

  所謂直接等離子體，亦稱作反應(yīng)離子蝕刻，是等離子的一種直接浸蝕形式。它的主要優(yōu)勢是高的蝕刻率和高的均勻性。直接等離子體具有較低浸蝕但工件卻暴露在射線區(qū)。順流等離子是種較弱的工藝，它適合去除厚為10-50埃的薄層。

  在射線區(qū)或等離子中，人們擔(dān)心工件受到損壞，目前，這種擔(dān)心還沒有證據(jù)，看來只有在重復(fù)的高射線區(qū)和延長處理時間到60-120分鐘才可能發(fā)生，正常情況下，這樣的條件只在大的薄片及不是短時的清洗中。

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